，日本電容器大廠村田制作所近日宣布，計劃到 2028 年，對日本國內(nèi)的金澤村田制作所、仙臺村田制作所和芬蘭子公司合計投資約 100 億日元(IT之家備注:當(dāng)前約 5.02 億元人民幣)，將硅電容器產(chǎn)能提高兩倍。

目前，硅電容器的應(yīng)用僅限于醫(yī)療設(shè)備，但未來有望擴(kuò)展到智能手機(jī)和服務(wù)器等應(yīng)用，村田制作所希望通過投資和增產(chǎn)及時捕獲更多市場需求。

硅電容器采用半導(dǎo)體制造工藝制作，其介電層為穩(wěn)定性更好的硅材料。與當(dāng)前的主流電容器相比，硅電容器有著更好的電容密度、可靠性、高頻特性等優(yōu)勢，老化時間可長達(dá) 10 年，其額定溫度甚至可高達(dá) 250℃，在惡劣環(huán)境下有著更好的表現(xiàn)。

不過，目前硅電容器的價格是普通 MLCC 的幾十倍，因此其應(yīng)用范圍集中于高附加值、對成本不敏感的尖端醫(yī)療設(shè)備等領(lǐng)域。但考慮到硅電容器在輕薄方面的優(yōu)勢，對于內(nèi)部空間越來越捉襟見肘的智能手機(jī)而言，硅電容器也是相當(dāng)不錯的選擇。村田制作所的硅電容器厚度可低至 0.05 毫米。

今年 3 月，村田制作所曾宣布將于 2024 年之前向法國子公司投資約 5000 萬歐元以增加硅電容器的產(chǎn)能。此次村田制作所的投資計劃，將在兩家日本工廠和芬蘭子公司建立相同的生產(chǎn)系統(tǒng)，以實(shí)現(xiàn)全球化的硅電容器供應(yīng)。

免責(zé)聲明：此文內(nèi)容為本網(wǎng)站轉(zhuǎn)載企業(yè)宣傳資訊，僅代表作者個人觀點(diǎn)，與本網(wǎng)無關(guān)。僅供讀者參考，并請自行核實(shí)相關(guān)內(nèi)容。